Công ty điện tử Samsung thông báo hãng đã phát triển thành công giải pháp mới bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) hay còn gọi là chíp bộ nhớ tích hợp cho các tính năng trí tuệ nhân tạo (AI) và mạng di động 5G hỗ trợ các sản phẩm điện thoại thông minh với tên gọi: DRAM LPDDR5 8GB cấu trúc 10nm.
Module RAM mới này của Samsung sẽ giúp các smartphone cao cấp thế hệ tiếp theo đạt tốc độ nhanh hơn 150% và tiêu thụ điện năng ít hơn 30% so với các flagship hiện nay. Tính năng vượt trội của bộ nhớ thế hệ mới này là có tốc độ lên tới 6.400 Mb/s, nhanh hơn 1,5 lần so với với thế hệ chíp LPDDR4 DRAM đang được sử dụng trong các thiết bị điện thoại thông minh đầu bảng hiện nay.
Bí mật của tốc độ “khủng” này chính là chip LPDDR5 mới được sản xuất trên quy trình 10nm vốn hiệu quả hơn rất nhiều so với quy trình 20nm của chip LPDDR4. Tốc độ 6.400 Mb/s cho phép truyền tải cùng lúc 14 tệp phim full-HD tương đương với hơn 51GB dữ liệu chỉ trong vòng 1 giây.
Bên cạnh đó, chip LPDDR5 còn mang đến chế độ ngủ sâu (deep sleep), cho phép cắt bớt điện năng sử dụng khi điện thoại ở chế độ chờ. Samsung khẳng định chế độ ngủ sâu này hiệu quả hơn 50% so với chế độ chờ (idle) trên chip LPDDR4 hiện hành. Samsung hy vọng giải pháp mới này sẽ mang đến nhiều cơ hội rộng mở hơn cho ngành công nghiệp điện thoại di động và tự động.