Theo TechRadar, bước đột phá này không chỉ khẳng định vị thế hàng đầu của Samsung trong ngành lưu trữ mà còn mở ra khả năng chế tạo ổ SSD dung lượng cực lớn, đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu khổng lồ của các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI).
Dự án NAND V10 - thế hệ thứ 10 của Samsung, được phát triển dựa trên công nghệ BV NAND tiên tiến, cho phép các tế bào nhớ và mạch ngoại vi được sản xuất trên các tấm wafer độc lập rồi xếp chồng lên nhau thành một chip hoàn chỉnh. Quy trình này giúp giảm nhiệt lượng sinh ra và tối ưu hóa hiệu năng chip. Với mật độ bit trên mỗi đơn vị diện tích tăng 1,6 lần so với thế hệ trước, NAND V10 có khả năng tạo nên các ổ SSD dung lượng “siêu khủng,” thậm chí vượt qua ngưỡng 200 TB. Điều này mở ra giải pháp lưu trữ lý tưởng cho các hệ thống AI và các trung tâm dữ liệu lớn.
Không dừng lại ở đây, Samsung còn đang vạch ra lộ trình phát triển đầy tham vọng. Sau NAND 400 lớp, hãng dự kiến ra mắt thế hệ NAND V11 vào năm 2027, với tốc độ truyền tải nhanh hơn 50%. Thậm chí, Samsung đặt mục tiêu đạt tới các chip NAND với hơn 1.000 lớp vào năm 2030, đưa nhân loại tiến sâu hơn vào kỷ nguyên số hóa.
Bên cạnh đó, Samsung cũng đang đẩy mạnh nghiên cứu các dòng DRAM mới với kích thước dưới 10 nm, tối ưu hóa hiệu năng và tiết kiệm năng lượng hơn. Những nỗ lực không ngừng này của Samsung đã, đang và sẽ tiếp tục định hình tương lai ngành công nghệ lưu trữ, đồng hành cùng sự phát triển của AI và mở ra những tiềm năng lưu trữ vượt xa giới hạn hiện nay.