SK hynix cho biết hôm thứ Năm rằng họ đã bắt đầu cung cấp các sản phẩm DRAM di động sử dụng Hợp chất Đúc Epoxy High-K, một ngành công nghiệp đầu tiên được thiết kế để giải quyết vấn đề quá nhiệt trên điện thoại thông minh được hỗ trợ bởi AI trên thiết bị.

 

Gã khổng lồ chip nhớ cho biết họ là công ty đầu tiên phát triển vật liệu High-K EMC, giải quyết hiệu quả vấn đề sinh nhiệt và suy giảm hiệu suất do truyền dữ liệu nhanh cho các ứng dụng AI trên thiết bị.

 

Độ dẫn nhiệt của sản phẩm DRAM di động mới đã được cải thiện 3,5 lần và khả năng chịu nhiệt theo chiều dọc của nhiệt đã được cải thiện 47%, công ty cho biết.

 

Mặc dù các điện thoại thông minh hàng đầu áp dụng cấu trúc package-on-package - xếp chồng DRAM lên bộ xử lý ứng dụng - để sử dụng hiệu quả không gian hạn chế và cải thiện tốc độ truyền dữ liệu, nhưng nhiệt sinh ra bên trong chip có thể dẫn đến suy giảm hiệu suất thiết bị.

 

Công nghệ mới của SK hynix dự kiến ​​sẽ góp phần kéo dài thời gian chạy pin và tuổi thọ sản phẩm bằng cách cải thiện hiệu suất điện thoại thông minh và giảm mức tiêu thụ điện năng, nhà sản xuất chip cho biết.

 

Ông Lee Gyu-jei, Giám đốc Phát triển Sản phẩm Đóng gói tại SK hynix, cho biết: “Đây là một thành tựu ý nghĩa, vượt xa sự cải thiện hiệu suất đơn thuần, bởi nó giải quyết được những bất tiện mà nhiều người dùng điện thoại thông minh hiệu năng cao có thể gặp phải. Chúng tôi cam kết khẳng định vị thế dẫn đầu về công nghệ trên thị trường DRAM di động thế hệ tiếp theo bằng những đổi mới công nghệ về vật liệu.”

 

Công ty cho biết họ đã “tìm ra giải pháp cải thiện độ dẫn nhiệt của EMC, một vật liệu quan trọng bao phủ vỏ DRAM, và đã phát triển High-K EMC bằng cách bổ sung Alumina vào Silica, vật liệu đã được sử dụng làm vật liệu EMC cho đến nay.”

 

“Các công ty điện thoại thông minh toàn cầu hoan nghênh sự ra mắt sản phẩm này với kỳ vọng rằng nó sẽ giúp giải quyết vấn đề tản nhiệt của các điện thoại thông minh hàng đầu hiệu năng cao”, SK hynix cho biết.