Tại Hội nghị thượng đỉnh bộ nhớ Flash năm 2022 được tổ chức ở Santa Clara, California, Choi Jung-dal, người đứng đầu bộ phận phát triển NAND tại SK hynix, cho biết đèn flash NAND mới nhất, tự hào có số lượng lớp cao nhất và mật độ tế bào ba cấp cao nhất trong ngành, đã được khách hàng lấy mẫu sau khi quá trình phát triển hoàn tất vào tháng Bảy.

 

Bước đột phá công nghệ của nhà sản xuất chip Hàn Quốc đã tăng tốc độ truyền dữ liệu lên 2,4 gigabit / giây, tăng 50% so với người tiền nhiệm, đèn flash NAND 176 lớp 4-D được phát triển vào tháng 12 năm 2020.

 

Hơn nữa, con chip hoàn toàn mới này tiết kiệm năng lượng hơn, cắt giảm 21% mức tiêu thụ điện năng so với thế hệ tiền nhiệm. Kích thước gói của nó cũng đã được giảm xuống, tăng 34% hiệu suất sản xuất so với thế hệ chip trước.

 

Tin tức này được đưa ra một tuần sau khi đối thủ bộ nhớ của Mỹ là Micron Technology thông báo rằng họ đã xuất xưởng sản phẩm flash NAND 232 lớp - một sản phẩm khi đó được coi là có số lớp cao nhất.

 

SK hynix cho biết đèn flash NAND 238 lớp 4-D với dung lượng lưu trữ 512 gigabit trước tiên sẽ đi kèm với ổ cứng thể rắn dành cho máy khách cho máy tính cá nhân, trong khi công ty có kế hoạch tung ra nhiều sản phẩm hơn tương thích với điện thoại thông minh và máy chủ. Ngoài ra, sản phẩm bộ nhớ flash NAND với dung lượng 1 terabit sẽ ra mắt vào năm 2023.

 

SK hynix đã phát triển đèn flash NAND 4-D đầu tiên trên thế giới vào năm 2018. Kể từ đó, công ty đã áp dụng các công nghệ như đèn flash bẫy tích điện - một công nghệ làm giảm căng thẳng cho bộ nhớ thông qua các lớp cách điện - và quanh tế bào - đặt các mạch ngoại vi dưới mảng ô để tối đa hóa hiệu quả sản xuất - đối với công nghệ xếp chồng 4-D.