Điều này có nghĩa là nhu cầu về khí carbon dioxide (CO2) có độ tinh khiết cao cũng dự kiến sẽ tăng lên. Những loại khí này được sử dụng để tạo ra nguồn sáng dùng trong quy trình EUV.
Samsung và SK Hynix đã bắt đầu sản xuất DRAM thế hệ 5 - 10 nanomet (nm) tương ứng của họ.
Các nút 1a hoặc 1b này có bốn đến năm lớp EUV, nhiều hơn nút 1z trước đó chỉ có một lớp EUV.
Samsung cho biết hồi tháng 1 trong cuộc gọi hội nghị quý 4 rằng, DRAM 1a DDR5 chiếm hơn một nửa lô hàng DRAM máy chủ của họ.
SK Hynix cũng cho biết họ đang hướng tới việc chuyển DRAM sang nút 1a để có thể sản xuất chip DDR5 và LPDDR5.
Những tuyên bố này có nghĩa là các nhà sản xuất chip đang có kế hoạch tăng cường sử dụng quy trình EUV.
Ánh sáng EUV được tạo ra bằng cách khuếch đại tia laser từ nguồn sáng EUV ở trạng thái chân không và chiếu ánh sáng phát ra lên thiếc. Lúc này thiếc chuyển sang dạng khí, ánh sáng EUV bước sóng ngắn được hình thành. Việc bổ sung CO2 trong quá trình này sẽ tạo ra plasma.
SK Hynix đang có kế hoạch lắp đặt thêm ít nhất 5 bộ máy EUV trong năm nay. Samsung đã sử dụng hơn 40 thiết bị EUV.